Goşma ýarymgeçiriji kristallaryň ösüşi
Goşma ýarymgeçiriji, ýarymgeçiriji materiallaryň birinji nesli bilen deňeşdirilende, optiki geçiş, ýokary elektron doýma tizligi we ýokary temperatura garşylygy, radiasiýa garşylygy we beýleki aýratynlyklary, aşa ýokary tizlikde, ultra ýokary ýygylygy, pes güýji, pes sesli müňlerçe we zynjyrlar, esasanam optoelektron enjamlary we fotoelektrik ammary özboluşly artykmaçlyklara eýe, olaryň iň wekili GaAs we InP.
Goşma ýarymgeçirijiniň ýeke kristallarynyň (GaAs, InP we ş.m.) ösmegi, temperatura, çig mal arassalygy we ösüş gämisiniň arassalygy ýaly gaty berk şertleri talap edýär.PBN häzirki wagtda birleşýän ýarymgeçiriji ýeke kristallaryň ösmegi üçin amatly gämidir.Häzirki wagtda goşma ýarymgeçirijiniň ýeke-täk kristal ösüş usullary, esasan, Boyu VGF we LEC seriýaly möhüm önümlere gabat gelýän suwuk möhüri göni çekmek usuly (LEC) we dik gradient berkitme usuly (VGF).
Polikristally sinteziň dowamynda elementar galiý saklamak üçin ulanylýan konteýner, ýokary temperaturada deformasiýadan we döwülmezden, konteýneriň ýokary arassalygyny, hapalaryň girizilmezligini we uzak ömri talap etmeli.PBN ýokardaky talaplaryň hemmesini kanagatlandyryp biler we polikristally sintez üçin ideal reaksiýa gämisidir.“Boyu PBN” gaýyk seriýasy bu tehnologiýada giňden ulanyldy.
