Alýumin Nitride çüýlenýän ALN Alýumin çüýrük
Önümiň tanyşdyrylyşy
AlN alýuminiň ýylylyk azalmagy ýa-da alýuminiň göni nitridi bilen sintez edilýär.Dykyzlygy 3.26 MarkMonitor-3 tarapyndan hasaba alnan we goralýar, eremese-de, atmosferada 2500 ° C-den ýokary çüýrär.Material birek-birege bagly bolup, suwuk emele getirýän goşundynyň kömegi bilen sinterlemäge garşy.Adatça, Y 2 O 3 ýa-da CaO ýaly oksidler 1600-den 1900 ° C çenli temperaturada sinterlemäge mümkinçilik berýär.
Alýumin nitrid ajaýyp giňişleýin öndürijiligi bolan keramiki materialdyr we gözleglerini ýüz ýyldan gowrak ozal gözläp bolýar.1862-nji ýylda tapylan F. Birgeler we A. Geuhter-den we 1877-nji ýylda JW MalletS Alýumin nitridi ilkinji gezek sintez edildi, ýöne himiki dökün hökmünde ulanylanda 100 ýyldan gowrak wagt bäri amaly peýdasy degmedi. .
Alýumin nitrit kowalent birleşme bolany üçin, ownuk öz-özünden diffuziýa koeffisiýenti we ýokary eriş nokady bolanlygy sebäpli, süzmek kyn.Alýumin nitrit keramikasy 1950-nji ýyllara çenli ilkinji gezek üstünlikli öndürilip, arassa demir, alýumin we alýumin erginleriniň eremeginde çydamly material hökmünde ulanyldy.Gözlegleriň çuňlaşmagy bilen 1970-nji ýyllardan bäri alýumin nitridi taýýarlamak prosesi barha ösdi we ulanylyş gerimi giňeldi.Esasanam 21-nji asyra gireninden bäri, mikroelektronika tehnologiýasynyň çalt ösmegi bilen, miniatýurizasiýa, ýeňil, integrasiýa we ýokary ygtybarlylyk we ýokary kuwwat çykaryş ugry, elektroniki enjamlar we ýylylyk ýaýramagynyň gaplaýyş materiallary has çylşyrymly enjamlar has ýokary talaplary öňe sürmek, alýumin nitrid senagatynyň güýçli ösüşine goldaw bermek.
Esasy aýratynlyklary
AlN Eredilen metallaryň köpüsiniň, esasanam alýumin, litiý we misiň eroziýasyna garşy dur
Hloridleri we kriolitleri öz içine alýan eredilen duzuň köp eroziýasyna garşydyr
Keramiki materiallaryň ýokary ýylylyk geçirijiligi (berilý oksidinden soň)
Volumeokary göwrümli garşylyk
Dieokary dielektrik güýji
Kislota we aşgar bilen ýok edilýär
Poroşok görnüşinde suw ýa-da çyglylyk bilen aňsatlyk bilen gidroliz edilýär
Esasy programma
1, piezoelektrik enjamy
Alýumin nitridiň ýokary garşylygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi (Al2O3-den 8-10 esse) we ýokary temperatura we ýokary güýçli elektron enjamlary üçin ideal material bolan kremnine meňzeş pes giňelme koeffisiýenti bar.
2, elektron gaplaýyş substrat materialy
Köplenç ulanylýan keramiki substrat materiallary berilý oksidi, alýumin, alýumin nitrit we ş.m. bolup, alýumin keramiki substratynyň ýylylyk geçirijiligi pes, ýylylyk giňelme koeffisiýenti kremniý bilen gabat gelmeýär;berilýum oksidiniň ajaýyp häsiýetleri bar bolsa-da, onuň tozy gaty zäherlidir.
Substrat materiallar hökmünde ulanyp boljak bar bolan keramiki materiallaryň arasynda kremniý nitrit keramiki iň ýokary egilme güýjüne, oňat aşaga garşylygy, iň oňat mehaniki öndürijiligi bolan keramiki material we iň kiçi ýylylyk giňelme koeffisiýenti.Alýumin nitrit keramikasy ýokary ýylylyk geçirijiligine, gowy ýylylyk täsirine garşylygy we ýokary temperaturada henizem gowy mehaniki häsiýetlere eýe.Öndürijilik nukdaýnazaryndan alýumin nitrit we kremniý nitrid häzirki wagtda elektron gaplaýyş substratlary üçin iň amatly materialdyr, emma olaryň umumy problemasy hem bahanyň gaty ýokary bolmagydyr.
3, we lýumesent materiallara ulanylýar
Alýumin nitridiň (AlN) göni zolakly boşlugynyň iň giňligi 6.2 eV bolup, gytaklaýyn zolakly ýarymgeçiriji bilen deňeşdirilende has ýokary fotoelektrik öwrüliş netijeliligi bar.AlN Möhüm gök çyra we UV ýagtylyk çykaryjy material hökmünde UV / çuň UV ýagtylyk diodyna, UV lazer diodyna we UV detektoryna ulanylýar.Mundan başga-da, AlN GaN we InN ýaly III topar nitridleri bilen üznüksiz gaty çözgütleri emele getirip biler we üç taraplaýyn ýa-da dört taraplaýyn ergin, zolakly boşlugy görünýän ultramelewşe zolaklara çenli yzygiderli sazlap biler we bu möhüm ýokary öndürijilikli ýagtylyk materialyna öwrüler.
4, substrat materiallaryna ulanylýar
AlN kristallary GaN, AlGaN, şeýle hem AlN epitaksial materiallar üçin ideal substratdyr.Safir ýa-da SiC substraty bilen deňeşdirilende, AlN GaN bilen has köp termiki gabat gelýär, himiki sazlaşyklylygy has ýokary we substrat bilen epitaksial gatlagyň arasynda az stres bar.Şol sebäpden, AlN kristaly GaN epitaksial substrat hökmünde ulanylanda, enjamdaky kemçilik dykyzlygyny ep-esli azaldyp, enjamyň işleýşini gowulaşdyryp biler we ýokary temperatura, ýokary ýygylyk we ýokary güýçli elektron taýýarlamakda amatly amaly göz öňünde tutýar. enjamlary.
Mundan başga-da, ýokary alýumin (Al) komponenti hökmünde AlN kristally AlGaN epitaksial material substraty, nitrit epitaksial gatlagynyň kemçilik dykyzlygyny netijeli peseldip biler we nitrit ýarymgeçiriji enjamyň işleýşini we hyzmat ediş möhletini ep-esli ýokarlandyryp biler.AlGaN esasly ýokary hilli gündelik kör detektorlar üstünlikli ulanyldy.
5, keramika we refrakter materiallarda ulanylýar
Alýuminiý nitrit, gurluş keramikasynyň, taýýarlanan alýumin nitrit keramikasynyň sintezine ulanylyp bilner, diňe bir gowy mehaniki häsiýetler däl, eplenme güýji Al2O3 we BeO keramikasyndan ýokary, gaty gatylygy, şeýle hem ýokary temperatura we poslama garşylygy.AlN keramiki ýylylyga garşylygy we poslama garşylygy ulanyp, ýokary we bugarýan plastinka ýaly ýokary temperatura poslama çydamly bölekleri ýasamak üçin ulanylyp bilner.Mundan başga-da, arassa AlN keramikasy ajaýyp optiki häsiýetlere eýe bolan reňksiz açyk kristallar bolup, elektron optiki enjamlary öndürýän aç-açan keramika üçin ýokary temperatura infragyzyl penjire we ýylylyga çydamly örtük hökmünde ulanylyp bilner.
6. Kompozitler
Epoksi rezin / AlN birleşdirilen material, gaplaýyş materialy hökmünde gowy ýylylyk geçirijiligini we ýylylygy bölüp çykarmak ukybyny talap edýär we bu talap barha berkleşýär.Gowy himiki aýratynlyklary we mehaniki durnuklylygy bolan polimer material hökmünde epoksi rezini peseltmek derejesi bilen bejermek aňsat, ýöne ýylylyk geçirijiligi ýokary däl.Epoksi rezine ajaýyp ýylylyk geçirijiligi bolan AlN nanopartikullaryny goşmak bilen, ýylylyk geçirijiligi we güýji netijeli gowulaşyp biler.
